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  • 型号: BFN 24 E6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BFN 24 E6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF NPN 250V SOT-23两极晶体管 - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BFN 24 E6327-

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d

产品型号

BFN 24 E6327

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 2mA,20mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 30mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PG-SOT23-3

其它名称

BFN 24 E6327CT

功率-最大值

360mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Infineon Technologies

增益带宽产品fT

70 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

360 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

250V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 40 at 30 mA at 10 V

系列

BFN24

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

250 V

集电极—基极电压VCBO

250 V

集电极连续电流

0.2 A

零件号别名

BFN24E6327HTSA1 SP000014784

频率-跃迁

70MHz

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