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BFN 24 E6327产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANSISTOR RF NPN 250V SOT-23两极晶体管 - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BFN 24 E6327- |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfn24_bfn26.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156a1bcc68214d |
产品型号 | BFN 24 E6327 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 2mA,20mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 30mA,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
其它名称 | BFN 24 E6327CT |
功率-最大值 | 360mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Infineon Technologies |
增益带宽产品fT | 70 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 360 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 250V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 40 at 30 mA at 10 V |
系列 | BFN24 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 250 V |
集电极—基极电压VCBO | 250 V |
集电极连续电流 | 0.2 A |
零件号别名 | BFN24E6327HTSA1 SP000014784 |
频率-跃迁 | 70MHz |